

ترانزیستور اثر میدان، دسته ای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آنها توسط ِیک میدان الکتریکی صورت میگیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، میتوان آنها را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد که در مقابل ترانزیستورهای دوقطبی (که حاملهای اکثریت و اقلیت همزمان در آنها نقش دارند) قرار میگیرند. ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایه ای سورس، درین و گیت هستند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ماسفت و جیفت تقسیم میشوند. در این تحقیق میخواهیم به بررسی ترانزیستورهای نوع JFET بپردازیم.


در این تحقیق در ابتدا به بحث ها و مشکلات ایجاد شده در توصیف وضعیت الکترون در اطراف هسته میپردازیم تا به نیاز معادله شرودینگر برای توصیف وضعیت آن پی ببریم، بعد از آن به حل معادله شرودینگر در داخل هسته پرداخته، و اعداد کوانتومی را به دست می آوریم و سپس توصیف فیزیکی موارد ذکر شده، مورد بحث و بررسی قرار خواهد گرفت. در ادامه به توضیح در مورد اسپین الکترونی پرداخته خواهد شد و با استفاده از آن ذرات بنیادی دسته بندی خواهند شد. در انتها نیز به بیان قوانین هوند پرداخته و از آنها برای بررسی نحوه پرشدن اوربیتال ها استفاده میکنیم.